一种基于多层涂硼薄膜和多丝正比室的中子探测器
文献类型:专利
作者 | 孙志嘉![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2017 |
专利号 | CN106950592 |
著作权人 | 东莞中子科学中心 ; 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本申请公开了一种基于多层涂硼薄膜和多丝正比室的中子探测器。本申请的中子探测器包括至少一个中子检测单元,中子检测单元由平行的第一涂硼入射窗、第一读出丝面、阳极丝面、第二读出丝面和第二涂硼入射窗组成;两读出丝面分别由若干平行镀金钨丝排列而成,各读出丝面中两条镀金钨丝为一路读出通道连接一延迟块单元,各读出丝面延迟块单元串联后分别由两路信号引出,两读出丝面的镀金钨丝走向垂直;阳极丝面由若干平行镀金钨丝排列成,其镀金钨丝与第一读出丝面镀金钨丝走向相同。本申请的中子探测器,通过测量延迟块单元两端信号时间差,来确定入射中子位置,减少了电子学的读出路数;本申请的中子探测器制作可在国内完成,真正实现了国产化。 |
公开日期 | 2017 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/298556] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_东莞分部 |
作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙志嘉,王艳凤,马长利,等. 一种基于多层涂硼薄膜和多丝正比室的中子探测器. CN106950592. 2017-01-01. |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
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