双步激光辐射提升纳秒激光抛光单晶硅的表面
文献类型：期刊论文
| 作者 | 任英明; 张志宇
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| 刊名 | 光学学报
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| 出版日期 | 2022-04-10 |
| 卷号 | 42期号:07页码:220-227 |
| 英文摘要 | 单晶硅是一种重要的半导体材料。通常，铸锭切片后的单晶硅表面易产生较深的沟槽、凹坑和裂纹等缺陷。针对这一问题，提出了一种双步激光辐射的方法，其在修复表面缺陷的同时，可以降低表面粗糙度。首先，通过有限元法模拟对不同激光参数下可修复的缺陷深度进行预测。然后，在0.50 J/cm~2的较高能量密度下，利用较深的表面层熔化修复各种深度的表面缺陷。然而，由于高能量密度下引发的热毛细管流易造成高频特征残留在表面上，故会导致表面粗糙度增加。接着，使用一个0.20 J/cm~2的低能量密度再次辐射同一表面，可有效消除残留的高频特征。最终，原始表面粗糙度为1.057μm的表面经过双步激光辐射后可获得一个表面粗糙度为26 nm的无缺陷光滑表面。 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/66306]  |
| 专题 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 作者单位 | 1.中国科学院大学 2.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任英明,张志宇. 双步激光辐射提升纳秒激光抛光单晶硅的表面[J]. 光学学报,2022,42(07):220-227. |
| APA | 任英明,&张志宇.(2022).双步激光辐射提升纳秒激光抛光单晶硅的表面.光学学报,42(07),220-227. |
| MLA | 任英明,et al."双步激光辐射提升纳秒激光抛光单晶硅的表面".光学学报 42.07(2022):220-227. |
入库方式： OAI收割
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