基于ZrCl3歧化反应气相沉积制备Zr涂层及其性能优化研究
文献类型:学位论文
作者 | 赵宏丹 |
答辩日期 | 2021-06-01 |
文献子类 | 硕士 |
授予单位 | 中国科学院过程工程研究所 |
导师 | 向茂乔 |
关键词 | 锆涂层,化学气相沉积,三氯化锆,歧化分解,锆-碳化锆复合涂层 |
英文摘要 | 锆(Zr)不仅耐腐蚀,而且中子吸收截面低,常用作核燃料包壳管和极端工况下的防腐材料。目前,锆的冶炼和加工成本非常高,严重限制了其应用范围。锆涂层不仅可以大幅度减小锆的用量,还能呈现出锆本身优异的性能,被认为是拓展其应用范围的重要手段之一。理论上,化学气相沉积(CVD)可以在复杂基体上制备高质量的锆涂层,但现阶段沉积温度较高,超出大部分结构材料的热处理温度。因此,设计合适的气相前驱体,降低沉积温度是CVD制备高质量锆涂层的关键和难点。基于文献调研和热力学分析发现,ZrCl3不仅可以汽化,而且能在较低温度下发生歧化反应释放出锆原子,为解决该难点提供了可行性。基于此,本文提出了基于ZrCl3(g)歧化分解制备锆涂层的新思路。首先,系统研究了Zr(s)-ZrCl4(s)体系合成ZrCl3(s)前驱体反应行为,并探明了合成ZrCl3(s)的微观结构演变过程。其次,系统研究了ZrCl3(s)汽化行为以及ZrCl3(g)歧化反应沉积制备Zr涂层的动力学规律。最后,在钢基体上系统研究了沉积Zr涂层的界面反应行为,获得创新性成果如下:(1)发现ZrCl(s)和ZrCl2(s)的歧化反应总是优先于汽化反应,无法作为化学气相沉积的有效前驱体,而ZrCl3(s)可在低温汽化并歧化释放出Zr原子,可作为低温化学气相沉积锆涂层的有效前驱体。在此基础上,基于Zr(s)和ZrCl4(s)固相反应探明了合成ZrCl3(s)前驱体的动力学条件,发现在370–500 oC之间可以合成非晶ZrCl3(s)前驱体,ZrCl3(s)的产率会随着合成温度和原料比例N( )的增加而增加,且探明了该合成反应受扩散控制。最后明确了ZrCl3(s)汽化的行为,发现在450 oC时ZrCl3(s)可以高效地汽化成ZrCl3(g)。(2)探明了ZrCl3(g)歧化反应制备Zr涂层的动力学行为。实验发现,在Al2O3基体上沉积Zr涂层的最低温度约为600 oC,最优沉积温度约为970 oC,较传统CVD制备Zr涂层的最低温度(1100 oC)下降了约45.5%。同时发现沉积过程受表面化学反应控制,涂层的生长模式为岛状生长(Volmer-Weber模式)。在此基础上,首次成功地在管状样品的外表面和内表面同时制备出致密的Zr涂层。(3)揭示了基于ZrCl3(g)歧化反应在钢基体上制备Zr涂层沉积机理和界面反应行为。实验发现,钢基体中的Fe、Cr、Ni等金属元素不会与ZrCl3(g)反应,但沉积的Zr会向基体扩散。当温度低于700 oC时,可在钢基体上得到纯Zr涂层。但是,温度一旦超过700 oC,钢基体中的C原子会优先从晶界扩散到表面与ZrCl3(g)或ZrCl3(g)歧化反应释放出的Zr原子反应生成ZrC,而基体晶粒表面仍然为Zr涂层,从而形成Zr-ZrC复合涂层。因此,钢基体上Zr-ZrC复合涂层生产模式为晶界诱导反应沉积ZrC和晶间沉积的Zr的耦合生长模式,最终形成软相Zr和硬相ZrC相间的复合涂层,而非传统逐层堆积的复合涂层。这种特殊结构有望作为自润滑的超耐磨涂层,且显著提升了硬度,约是基体的2.8倍。 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/60909] ![]() |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵宏丹. 基于ZrCl3歧化反应气相沉积制备Zr涂层及其性能优化研究[D]. 中国科学院过程工程研究所. 2021. |
入库方式: OAI收割
来源:过程工程研究所
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