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卤素离子强化CO2电化学还原的密度泛函理论研究

文献类型:学位论文

作者马喜飞
答辩日期2022-06-01
文献子类硕士
授予单位中国科学院过程工程研究所
导师张锁江
关键词电化学催化,Co2还原,C-c偶联,密度泛函理论,离子液体
英文摘要

近年来,随着全球气候问题愈发严峻,CO2减排和清洁能源开发已经成为全世界关注的热点领域。同时,CO2还是廉价且丰富的碳资源,将其转化为有用的燃料和化学品,既可以解决环境问题还能创造经济价值。电化学还原CO2因其操作条件温和、反应装置简单易实现规模化等优势,在众多CO2转化技术中脱颖而出。为了实现更高的催化活性、选择性和稳定性,研究人员进行了大量探索工作,获得了有意义的研究成果,如在流通电解池碱性溶液中可实现电还原CO2商业电流密度、铜(Cu)电极对多碳氢化合物展现独特的高选择性、离子液体电解质的咪唑类阳离子大幅降低CO过电位等。但是,目前还缺乏对CO2还原过程中目的产物形成的机理研究。本论文通过密度泛函理论(DFT)计算方法研究了Cu(100)表面CO2电化学还原为C2H4的反应机理,以及卤素阴离子(F-、Cl-、Br-和I-)强化CO2还原为C2H4过程的作用机制。论文主要研究内容和结论如下:(1)采用密度泛函理论计算方法,深入研究了Cu(100)表面CO2电化学还原为C2H4的反应机理。计算了Cu(100)表面CO2、反应中间体的吸附结构和能量,结合计算氢电极(CHE)模型,计算出每一个质子-电子对转移步骤的反应自由能(ΔG)。基于CHE模型,提出了由施加电位控制的C2H4生成的关键中间体和反应路径:在低电位(U≤ -0.55 V)下,吸附的*CO二聚形成*CO-CO为速率控制步,*COCO为关键中间体;提高电位至U≤ -0.68 V,*CO氢化形成*CHO为速率控制步,*CHO为关键中间体;继续提高电位至U ≤ -0.96 V,*CO氢化形成*COH为速率控制步,*COH为关键中间体。进一步对*CO二聚为*COCO中间体、*CO与*CHO偶联形成*CHO-CO中间体、*CO与*COH偶联形成*COH-CO中间体分别进行过渡态计算。结果表明,*CHO与CO偶联能垒最小(0.54eV),*CO与CO偶联能垒较高(1.16eV),*COH与CO偶联能垒最高(1.21eV)。同时,*CO氢化形成*CHO的反应自由能(0.67eV)远小于*CO二聚为*COCO的(1.09eV)。因此,*CO优先氢化形成*CHO,再与*CO/CO进行C-C偶联形成*CHOCO中间体可能是C2H4形成的最优路径。这一结论可以由电荷密度差分解释。吸附态*CO中C原子与表面4个Cu原子成键,Cu的3d电子通过负反馈(back-donation)作用转移到*CO的2π*轨道,使C原子电荷密度增加,易接受氢质子而形成*CHO。吸附态*CHO中H原子分担了C原子上部分电荷,使C原子电荷密度减小,易与*CO具有高电荷密度的C原子结合而形成*CHOCO。最终,获得了Cu(100)表面CO2还原为C2H4的最优反应路径:CO2 → *COOH → *CO → *CHO(+*CO/CO) → *CHOCO →*CHOCHO → *CHOCHOH → *OCHCH → *OCHCH2 → *O_C2H4 → C2H4。(2)采用密度泛函理论计算方法,深入研究了Cu(100)表面卤素阴离子强化CO2电还原制C2H4的作用机理。在计算中考虑显式的F-、Cl-、Br-、I-阴离子,来描述真实的卤素离子和Cu表面之间的相互作用。卤素离子在Cu(100)表面的特异性吸附计算结果表明,卤素离子与表面相互作用能为:F-> Cl-> Br->I-,与表面间距为:Cu_F < Cu_Cl < Cu_Br < Cu_I,与表面之间的电荷转移为:F-< Cl-< Br-

语种中文
源URL[http://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/61006]  
推荐引用方式
GB/T 7714
马喜飞. 卤素离子强化CO2电化学还原的密度泛函理论研究[D]. 中国科学院过程工程研究所. 2022.

入库方式: OAI收割

来源:过程工程研究所

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