氧化硅层厚度对Si/SiO2界面电子态结构与光学性质的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王安琛; 黄忠梅; 黄伟其; 张茜; 刘淳; 王梓霖; 王可; 刘世荣 |
| 刊名 | 光子学报
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| 出版日期 | 2023 |
| 卷号 | 52期号:1页码:228-239 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL |  |
| 专题 | 地球化学研究所_环境地球化学国家重点实验室 地球化学研究所_矿床地球化学国家重点实验室 |
| 作者单位 | 1.贵州大学材料与冶金学院纳米光子物理研究所 2.复旦大学表面物理国家重点实验室微纳光子结构教育部重点实验室 3.海南师范大学物理与电子工程学院 4.中国科学院地球化学研究所环境化学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王安琛,黄忠梅,黄伟其,等. 氧化硅层厚度对Si/SiO2界面电子态结构与光学性质的影响[J]. 光子学报,2023,52(1):228-239. |
| APA | 王安琛.,黄忠梅.,黄伟其.,张茜.,刘淳.,...&刘世荣.(2023).氧化硅层厚度对Si/SiO2界面电子态结构与光学性质的影响.光子学报,52(1),228-239. |
| MLA | 王安琛,et al."氧化硅层厚度对Si/SiO2界面电子态结构与光学性质的影响".光子学报 52.1(2023):228-239. |
入库方式： OAI收割
来源：地球化学研究所
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