堇青石基体化学气相沉积碳化硅薄膜及其性能表征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 尹博文 ; 杨艳 ; 马兵 ; 张伟刚 |
| 刊名 | 过程工程学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 03页码:589-594 |
| 关键词 | 化学气相沉积 β-SiC 堇青石 表征 |
| 中文摘要 | 采用等温等压化学气相沉积技术,分别以CH3SiCl3-H2和SiCl4-CH4-H2为气源,在沉积温度1100和1000℃、压力101kPa条件下,制备了SiC薄膜.利用SEM和XRD、显微拉曼光谱、EDAX元素分析、HRTEM等测试技术对沉积薄膜的结构和组成进行了表征.结果表明,1100℃时,以CH3SiCl3-H2为气源沉积得到纯净的SiC薄膜,以β-SiC(111)面择优定向生长,由微米级的金字塔锥形结构组成,硅含量随着沉积温度降低而增加;以SiCl4-CH4-H2为气源沉积得到非晶态碳掺杂的SiC薄膜,碳含量随着沉积温度降低而增加.此外,以CH3SiCl3-H2为气源沉积的SiC颗粒平均粒径均比以SiCl4-CH4-H2为气源的粒径大.前者SiC薄膜的方块电阻在kΩ级以上,且随着沉积温度的下降急剧升高;后者1100℃时制备的薄膜的方块电阻在kΩ级以上,且随着沉积温度的降低而急剧下降,1000℃时降低到Ω级. |
| 公开日期 | 2013-10-10 |
| 版本 | 出版稿 |
| 源URL | [http://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/3048]  |
| 专题 | 过程工程研究所_研究所（批量导入） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹博文,杨艳,马兵,等. 堇青石基体化学气相沉积碳化硅薄膜及其性能表征[J]. 过程工程学报,2008(03):589-594. |
| APA | 尹博文,杨艳,马兵,&张伟刚.(2008).堇青石基体化学气相沉积碳化硅薄膜及其性能表征.过程工程学报(03),589-594. |
| MLA | 尹博文,et al."堇青石基体化学气相沉积碳化硅薄膜及其性能表征".过程工程学报 .03(2008):589-594. |
入库方式： OAI收割
来源：过程工程研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。