Lattice origin of few-layer edge-on MoS2@TiO2 octahedral clusters for piezoelectric enhancement
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xiong, Y; Li, HJ ; Zeng, W; Wang, YM; Zhao, XN; Fang, PF; Hu, WG; Zheng, LR
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| 刊名 | APPLIED SURFACE SCIENCE
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| 出版日期 | 2022 |
| 卷号 | 588页码:152942 |
| ISSN号 | 0169-4332 |
| DOI | 10.1016/j.apsusc.2022.152942 |
| 文献子类 | Article |
| 电子版国际标准刊号 | 1873-5584 |
| 语种 | 英语 |
| WOS记录号 | WOS:000776638300004 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/299218]  |
| 专题 | 高能物理研究所_计算中心 高能物理研究所_实验物理中心 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xiong, Y,Li, HJ,Zeng, W,et al. Lattice origin of few-layer edge-on MoS2@TiO2 octahedral clusters for piezoelectric enhancement[J]. APPLIED SURFACE SCIENCE,2022,588:152942. |
| APA | Xiong, Y.,Li, HJ.,Zeng, W.,Wang, YM.,Zhao, XN.,...&Zheng, LR.(2022).Lattice origin of few-layer edge-on MoS2@TiO2 octahedral clusters for piezoelectric enhancement.APPLIED SURFACE SCIENCE,588,152942. |
| MLA | Xiong, Y,et al."Lattice origin of few-layer edge-on MoS2@TiO2 octahedral clusters for piezoelectric enhancement".APPLIED SURFACE SCIENCE 588(2022):152942. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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