Multiple Anion Chemistry for Ionic Layer Thickness Tailoring in Bi2+2nO2+2nSenX2 (X = Cl, Br) van der Waals Semiconductors with Low Thermal Conductivities
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ji, RW; Lei, M; Genevois, C; Zhang, WD; Ming, X; He, LH; Allix, M; Yin, CL; Kuang, XJ; Xing, XR |
| 刊名 | CHEMISTRY OF MATERIALS
 |
| 出版日期 | 2022 |
| 卷号 | 34期号:10页码:4751-4764 |
| ISSN号 | 0897-4756 |
| DOI | 10.1021/acs.chemmater.2c00786 |
| 文献子类 | Article |
| 电子版国际标准刊号 | 1520-5002 |
| 语种 | 英语 |
| WOS记录号 | WOS:000805874800048 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/299346]  |
| 专题 | 高能物理研究所_东莞分部 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ji, RW,Lei, M,Genevois, C,et al. Multiple Anion Chemistry for Ionic Layer Thickness Tailoring in Bi2+2nO2+2nSenX2 (X = Cl, Br) van der Waals Semiconductors with Low Thermal Conductivities[J]. CHEMISTRY OF MATERIALS,2022,34(10):4751-4764. |
| APA | Ji, RW.,Lei, M.,Genevois, C.,Zhang, WD.,Ming, X.,...&Xing, XR.(2022).Multiple Anion Chemistry for Ionic Layer Thickness Tailoring in Bi2+2nO2+2nSenX2 (X = Cl, Br) van der Waals Semiconductors with Low Thermal Conductivities.CHEMISTRY OF MATERIALS,34(10),4751-4764. |
| MLA | Ji, RW,et al."Multiple Anion Chemistry for Ionic Layer Thickness Tailoring in Bi2+2nO2+2nSenX2 (X = Cl, Br) van der Waals Semiconductors with Low Thermal Conductivities".CHEMISTRY OF MATERIALS 34.10(2022):4751-4764. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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