The influence of high-temperature nitridation process on the crystalline quality of semipolar (11(2)over-bar2) GaN epitaxial films
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li, WL; Wang, LS ; Chai, RH; Wen, L; Lu, HX; Wang, HH; Yang, SY; Sun, WH
|
| 刊名 | CURRENT APPLIED PHYSICS
 |
| 出版日期 | 2022 |
| 卷号 | 39页码:38-44 |
| ISSN号 | 1567-1739 |
| DOI | 10.1016/j.cap.2022.03.020 |
| 文献子类 | Article |
| 电子版国际标准刊号 | 1878-1675 |
| 语种 | 英语 |
| WOS记录号 | WOS:000795659700001 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/299428]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li, WL,Wang, LS,Chai, RH,et al. The influence of high-temperature nitridation process on the crystalline quality of semipolar (11(2)over-bar2) GaN epitaxial films[J]. CURRENT APPLIED PHYSICS,2022,39:38-44. |
| APA | Li, WL.,Wang, LS.,Chai, RH.,Wen, L.,Lu, HX.,...&Sun, WH.(2022).The influence of high-temperature nitridation process on the crystalline quality of semipolar (11(2)over-bar2) GaN epitaxial films.CURRENT APPLIED PHYSICS,39,38-44. |
| MLA | Li, WL,et al."The influence of high-temperature nitridation process on the crystalline quality of semipolar (11(2)over-bar2) GaN epitaxial films".CURRENT APPLIED PHYSICS 39(2022):38-44. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。