Facet-dependent Electronic Quantum Diffusion in the High-Order Topological Insulator Bi4Br4
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhong, JY; Yang, M; Ye, F ; Liu, C; Wang, JO; Wang, JF; Hao, WC; Zhuang, JC; Du, Y
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| 刊名 | PHYSICAL REVIEW APPLIED
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| 出版日期 | 2022 |
| 卷号 | 17期号:6页码:64017 |
| ISSN号 | 2331-7019 |
| DOI | 10.1103/PhysRevApplied.17.064017 |
| 文献子类 | Article |
| 语种 | 英语 |
| WOS记录号 | WOS:000813241000002 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/300107]  |
| 专题 | 高能物理研究所_东莞分部 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhong, JY,Yang, M,Ye, F,et al. Facet-dependent Electronic Quantum Diffusion in the High-Order Topological Insulator Bi4Br4[J]. PHYSICAL REVIEW APPLIED,2022,17(6):64017. |
| APA | Zhong, JY.,Yang, M.,Ye, F.,Liu, C.,Wang, JO.,...&Du, Y.(2022).Facet-dependent Electronic Quantum Diffusion in the High-Order Topological Insulator Bi4Br4.PHYSICAL REVIEW APPLIED,17(6),64017. |
| MLA | Zhong, JY,et al."Facet-dependent Electronic Quantum Diffusion in the High-Order Topological Insulator Bi4Br4".PHYSICAL REVIEW APPLIED 17.6(2022):64017. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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