一种高温高压下生长羟基碳酸钐Sm(OH)CO3单晶的方法
文献类型：专利
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| 作者 | 梁文; 李和平; 李瑞; 尹远; 孟勇 |
| 发表日期 | 2020 ; 2020 |
| 专利号 | CN201910341661.3 ; CN201910341661.3 |
| 著作权人 | 中国科学院地球化学研究所 ; 中国科学院地球化学研究所 |
| 国家 | 中国 ; 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 ; 发明专利 |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 状态 | 已授权 ; 已授权 |
| 源URL | [http://ir.gyig.ac.cn/handle/42920512-1/14191]  |
| 专题 | 地球化学研究所_地球内部物质高温高压实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院地球化学研究所地球内部物质高温高压实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁文,李和平,李瑞,等. 一种高温高压下生长羟基碳酸钐Sm(OH)CO3单晶的方法, 一种高温高压下生长羟基碳酸钐Sm(OH)CO3单晶的方法. CN201910341661.3, CN201910341661.3. 2020-01-01, 2020-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：地球化学研究所
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