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降低Fe—N软磁薄膜矫顽力的途径

文献类型:期刊论文

作者李丹1; 周剑平1; 顾有松1; 常香荣1; 李福燊1; 乔利杰1; 田中卓1; 方光旦2; 宋庆山2
刊名自然科学进展
出版日期2002
卷号12.0期号:011页码:1177
关键词Fe-N软磁薄膜 矫顽力 RF磁控溅射 饱和磁化强度 磁记录材料
ISSN号1002-008X
英文摘要用RF磁控溅射沉积的Fe-N磁性薄膜,饱和磁化强度比较高,但矫顽力太高,因而降低Hc成为Fe-N是否可以用于高密度磁记录的关键。在低功率200W下溅射沉积200nm的薄膜,在250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在?A为5%-7%范围内,形成αˊ+α″时,μ0Ms可达2.4T,Hc<80A/m。但Fe-N磁性薄膜厚度需要达到2μm,而Hc往往因厚度增加而增加。提高溅射功率到1000W,使晶粒进一步细化,2μm厚的Fe-N磁性薄膜经250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在?A为5.9%-8.5%范围内,形成α′+α″时,μ0Ms=2.2T,Hc仍可低于80A/m,可以满足针对高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要。
语种英语
源URL[http://119.78.100.204/handle/2XEOYT63/34515]  
专题中国科学院计算技术研究所期刊论文_中文
作者单位1.北京科技大学材料物理系
2.中国科学院计算技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李丹,周剑平,顾有松,等. 降低Fe—N软磁薄膜矫顽力的途径[J]. 自然科学进展,2002,12.0(011):1177.
APA 李丹.,周剑平.,顾有松.,常香荣.,李福燊.,...&宋庆山.(2002).降低Fe—N软磁薄膜矫顽力的途径.自然科学进展,12.0(011),1177.
MLA 李丹,et al."降低Fe—N软磁薄膜矫顽力的途径".自然科学进展 12.0.011(2002):1177.

入库方式: OAI收割

来源:计算技术研究所

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