中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
采用关键路径漏电流变化分析的集成电路老化预测方法

文献类型:期刊论文

作者邱吉冰1; 韩银和1; 靳松2; 李晓维1
刊名计算机辅助设计与图形学学报
出版日期2015
卷号27.0期号:002页码:371
关键词负偏置温度不稳定性 漏电流 老化 工艺偏差
ISSN号1003-9775
英文摘要为了应对集成电路老化对电子系统可靠性带来的威胁, 提出一种应用关键路径漏电流变化进行负偏置温度不稳定性老化预测的方法. 首先用被测芯片在一组测量向量敏化下的漏电流变化构成一个方程组, 通过解方程组得到关键路径门电路的漏电流变化; 然后通过漏电流变化与时延变化的关联模型, 将漏电流变化转换得到门电路延迟变化; 最后通过关键路径延迟变化来预测电路老化. 对实验电路的仿真结果表明, 该方法可用来预测负偏置温度不稳定性引起的电路老化, 并且可通过增加测量时间来避免工艺偏差对预测精度的影响.
语种英语
源URL[http://119.78.100.204/handle/2XEOYT63/36693]  
专题中国科学院计算技术研究所期刊论文_中文
作者单位1.中国科学院计算技术研究所
2.华北电力大学
推荐引用方式
GB/T 7714
邱吉冰,韩银和,靳松,等. 采用关键路径漏电流变化分析的集成电路老化预测方法[J]. 计算机辅助设计与图形学学报,2015,27.0(002):371.
APA 邱吉冰,韩银和,靳松,&李晓维.(2015).采用关键路径漏电流变化分析的集成电路老化预测方法.计算机辅助设计与图形学学报,27.0(002),371.
MLA 邱吉冰,et al."采用关键路径漏电流变化分析的集成电路老化预测方法".计算机辅助设计与图形学学报 27.0.002(2015):371.

入库方式: OAI收割

来源:计算技术研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。