一种在高温高压下制备钇掺杂锆酸钡质子导体材料的方法
文献类型：专利
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| 作者 | 李和平; 彭家卓; 严登峰 |
| 发表日期 | 2021-01-26 ; 2021-01-26 |
| 专利号 | CN201811559860.3 ; CN201811559860.3 |
| 著作权人 | 中国科学院地球化学研究所 ; 中国科学院地球化学研究所 |
| 国家 | 中国 ; 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 ; 发明专利 |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 状态 | 已授权 ; 已授权 |
| 源URL | [http://ir.gyig.ac.cn/handle/42920512-1/14268]  |
| 专题 | 地球化学研究所_地球内部物质高温高压实验室 地球深部物质与流体作用地球化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院地球化学研究所地球内部物质高温高压实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李和平,彭家卓,严登峰. 一种在高温高压下制备钇掺杂锆酸钡质子导体材料的方法, 一种在高温高压下制备钇掺杂锆酸钡质子导体材料的方法. CN201811559860.3, CN201811559860.3. 2021-01-26, 2021-01-26. |
入库方式： OAI收割
来源：地球化学研究所
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