HiPIMS 金属/气体离子比的调控及其对TiN涂层性能的影响
文献类型:学位论文
作者 | 曾明亮![]() |
答辩日期 | 2024-05-15 |
文献子类 | 硕士 |
授予单位 | 中国科学院大学 |
授予地点 | 北京 |
导师 | 夏原 |
关键词 | 高功率脉冲磁控溅射 TiN 等离子体特性 离子辐照 残余应力 |
学位专业 | 工程力学 |
其他题名 | Control of metal/gas ion ratio in HiPIMS and effect on the properties of TiN coatings |
英文摘要 | 在高温铝蚀以及冷热交变的恶劣服役环境下,压铸模具表面往往因出现铝蚀、 氧化、热疲劳裂纹等损伤,在冷热交变下产生的循环热应力的促进下导致模具断 裂失效。采用物理气相沉积(PVD)技术在其表面沉积 Ti 基涂层是目前比较有 效的防护手段,然而涂层在服役过程中常常因出现剥落或开裂等不稳定因素导致 结合失效,研究表明,涂层在制备过程中产生的高残余应力是导致其发生结合失 效的主要原因。 基于前人们的大量研究表明,在涂层的沉积过程中,高能惰性气体离子(Ar+) 在晶格缺陷或间隙位置的夹持会导致涂层产生过高残余压应力,而金属离子(成 膜离子)因其主要结合在晶格位置,可以减少沉积过程中所产生的生长应力,并 且金属离子辐照同样具有惰性气体离子轰击的所有优点。基于此,本文利用高功 率脉冲磁控溅射(HiPIMS)具有高离化率以及离子可调控等特性,通过增大金属 离子与惰性气体离子通量比例(NTi+ / NAr+),降低TiN涂层的残余应力。考虑到 涂层的生长受到等离子体中离子通量、离子比例以及离子能量的共同作用,通过 调控偏压大小来控制离子轰击能量,进一步提升TiN涂层的力学性能。本文主要 结论如下: 1.通过研究不同电源参数下等离子体发射光谱以及离子流的变化,结果表 明脉冲放电前期由Ar+放电为主导,后期由Ti+放电为主导,离子流在脉冲放电结 束后出现的第二峰位是以Ar+为主的离子峰,通过在峰值电流达到最大值时停止 放电,可使气体稀薄效应达到最强,有效防止Ar原子回充,在Ti+通量基本不变 的前提下使得NTi+ / NAr+从2.3提高到7。 2.通过增大NTi+ / NAr+的比值来降低Ar+轰击带来的危害,随着NTi+ / NAr+ 从 2.3 提高到 7,TiN 涂层的择优取向由(111)逐渐转向(200),沉积速率从 15nm/min 提高到 17nm/min,涂层的残余应力从6.8GPa 降低到0.9GPa,涂层的 韧性(H/E 和 H3/E2)得到有效的提升,涂层的膜基结合力也得到明显的改善, 证实了通过减少Ar+的轰击来降低涂层残余应力可行性。 3.通过控制离子轰击能量来对TiN涂层力学性能进一步提升,随着偏压从 0V 增大到-200V,TiN涂层的择优取向由(200)转变为(111),同时涂层晶粒尺 寸从41nm减小到9nm,使得涂层的硬度也从14.1GPa提高到27.3GPa,表明调 整偏压的大小,通过影响TiN涂层的晶体取向以及晶粒尺寸等微观结构,可以有 效提高涂层的硬度。残余应力从0.7GPa增加到5.7GPa,TiN涂层的H/E和H3/E2 的值与膜基结合力均呈先上升后下降的趋势,表明 TiN 涂层的韧性与膜基结合 力受综合性能的影响。 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/95103] ![]() |
专题 | 宽域飞行工程科学与应用中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾明亮. HiPIMS 金属/气体离子比的调控及其对TiN涂层性能的影响[D]. 北京. 中国科学院大学. 2024. |
入库方式: OAI收割
来源:力学研究所
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