InGaAs阱簇复合结构中铟原子自适应迁移的临界厚度
文献类型：期刊论文
| 作者 | 于庆南; 刘子键; 王新宇; 李可; 王茹; 刘新雨; 潘玉; 李晖; 张建伟 |
| 刊名 | 光学学报
 |
| 出版日期 | 2023 |
| 卷号 | 43期号:21页码:182-187 |
| 英文摘要 | 为了探究铟原子发生自适应迁移的临界厚度，首先测量得到InGaAs阱簇复合结构表面不同位置的自发辐射光谱。铟原子的自适应迁移会导致阱簇复合结构中同时产生铟含量正常的和损失的In_xGa_(1-x)As区域，进而导致其自发辐射光谱具有特殊的双峰特征。通过对比光谱的双峰强度，计算并评估了正常In_(0.17)Ga_(0.83)As层的厚度起伏为4.6～6.4 nm，即铟原子发生自适应迁移的临界厚度为4.6 nm。通过对比4 nm传统InGaAs量子阱的单峰光谱特征，验证了铟原子发生自适应迁移临界厚度的准确性，该项研究对推动InGaAs阱簇复合量子限制结构的发展具有重要意义。 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/68403]  |
| 专题 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 作者单位 | 1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 2.无锡学院江苏省集成电路可靠性技术及检测系统工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于庆南,刘子键,王新宇,等. InGaAs阱簇复合结构中铟原子自适应迁移的临界厚度[J]. 光学学报,2023,43(21):182-187. |
| APA | 于庆南.,刘子键.,王新宇.,李可.,王茹.,...&张建伟.(2023).InGaAs阱簇复合结构中铟原子自适应迁移的临界厚度.光学学报,43(21),182-187. |
| MLA | 于庆南,et al."InGaAs阱簇复合结构中铟原子自适应迁移的临界厚度".光学学报 43.21(2023):182-187. |
入库方式： OAI收割
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