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InGaAs自适应阱簇复合结构的偏振双峰辐射机制及能带特征

文献类型:期刊论文

作者于庆南; 李可; 王新宇; 吴坚; 张建伟; 刘子键; 邢佳童; 廖玲; 季慧娴; 王青
刊名光学学报
出版日期2023
卷号43期号:10页码:205-210
英文摘要研究一种基于富铟团簇(IRC)效应的新型高应变InGaAs/GaAs自适应阱簇复合(WCC)量子结构,该结构具有比较灵活的能带调控能力,可产生一种特殊的偏振双峰光谱。为探究该WCC结构的偏振双峰辐射机制及能带特征,利用IRC效应生长获得了自适应WCC结构,并测量了该新型结构的偏振光致发光(PL)光谱,在横向电场(TE)和横向磁场(TM)模式下,PL光谱皆显示出特殊的双峰结构。这主要是铟原子的自适应迁移导致有源层同时存在铟组分正常和铟组分降低的In_xGa_(1-x)As材料所致。根据半导体激光器的跃迁矩阵元理论和PL光谱的双峰能量间距,阐明不同偏振模式下的光谱双峰与多组分In_xGa_(1-x)As材料的对应辐射机制,同时确定该WCC结构的混合能带特征。该研究内容对IRC效应和新型WCC发光结构的发展和应用具有重要研究意义。
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/68502]  
专题中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
作者单位1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
2.北京航空航天大学物理学院
3.无锡学院电子信息工程学院
推荐引用方式
GB/T 7714
于庆南,李可,王新宇,等. InGaAs自适应阱簇复合结构的偏振双峰辐射机制及能带特征[J]. 光学学报,2023,43(10):205-210.
APA 于庆南.,李可.,王新宇.,吴坚.,张建伟.,...&李晖.(2023).InGaAs自适应阱簇复合结构的偏振双峰辐射机制及能带特征.光学学报,43(10),205-210.
MLA 于庆南,et al."InGaAs自适应阱簇复合结构的偏振双峰辐射机制及能带特征".光学学报 43.10(2023):205-210.

入库方式: OAI收割

来源:长春光学精密机械与物理研究所

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