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高性能锑化物单模外腔激光器研究

文献类型:学位论文

作者王天放
答辩日期2024-05
文献子类博士
授予单位中国科学院大学
授予地点中国科学院半导体研究所
语种中文
公开日期2024-06
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31721]  
专题中国科学院半导体研究所
通讯作者王天放
推荐引用方式
GB/T 7714
王天放. 高性能锑化物单模外腔激光器研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学. 2024.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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