一种合成高纯度六方柱形二氧化硅纳米多孔材料的方法
文献类型：专利
| 作者 | 牛延慧; 万泉; 于文彬; 杨曙光 |
| 发表日期 | 2022-02-25 |
| 专利号 | CN112174148B |
| 著作权人 | 中国科学院地球化学研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 已授权 |
| 源URL | [http://ir.gyig.ac.cn/handle/42920512-1/15275]  |
| 专题 | 地球化学研究所_矿床地球化学国家重点实验室 |
| 作者单位 | 1.贵州师范学院 2.中国科学院地球化学研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛延慧,万泉,于文彬,等. 一种合成高纯度六方柱形二氧化硅纳米多孔材料的方法. CN112174148B. 2022-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：地球化学研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。