一种基于双探针计算非均匀等离子体电场强度的方法
文献类型：专利
| 作者 | 曹进文 ; 孟显; 黄河激; 陈瀚宇; 张颖; 张奇志; 张晖
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| 发表日期 | 2024-04-05 |
| 专利号 | CN116359623B |
| 著作权人 | 中国科学院力学研究所 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种基于双探针计算非均匀等离子体电场强度的方法,所述方法包括如下内容：双探针的两根金属电极包裹于非均匀等离子体射流内,改变串接在所述双探针上的扫描电压的大小,采集每个扫描电压下所述双探针内的电流,根据扫描电压和对应的电流拟合I-V曲线,通过所述I-V曲线得到超声速非均匀等离子体射流的电场强度。本发明拓展了传统双探针的使用范围,从非均匀等离子体的特性出发,可以直接获得等离子体电场强度,解决了现有技术中非均匀等离子体的测量计算方法中,由于非均匀等离子体自身的不稳定性,计算得到的电场强度的误差随测量时间增大的问题。 |
| 分类号 | 发明授权 |
| 申请日期 | 2023-03-09 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/97417]  |
| 专题 | 力学研究所_高温气体动力学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹进文,孟显,黄河激,等. 一种基于双探针计算非均匀等离子体电场强度的方法. CN116359623B. 2024-04-05. |
入库方式： OAI收割
来源：力学研究所
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