金属低温渗入的装置和方法
文献类型：专利
| 作者 | 李成明; 张勇 ; 曹尔妍; 薛明伦
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| 发表日期 | 2004-01-28 |
| 专利号 | CN1136333C |
| 著作权人 | 中国科学院力学研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 英文摘要 | 本发明涉及在金属基体表面低温下渗入金属离子的装置，它包括气体通入和气体控制部分、真空系统与真空室相通、电弧蒸发源靶、触发引弧结构均安置在真空室内上部；真空室内下部设有一放置工件的转动机构带动的具有公转和自转的支架，直流电源的阴极与靶相连接，阳极与真空腔连接接地；其特征在于：还包括一高压直流脉冲电源，高压直流脉冲电源连接在工件阴极和真空腔之间，可调节孔径大小的挡板安置在电弧蒸发源的前端。 |
| 分类号 | 发明授权 |
| 申请日期 | 1999-10-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/99580]  |
| 专题 | 力学研究所_力学所知识产出(1956-2008) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李成明,张勇,曹尔妍,等. 金属低温渗入的装置和方法. CN1136333C. 2004-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：力学研究所
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