脉冲辅助过滤电弧沉积薄膜装置和方法
文献类型：专利
| 作者 | 张勇 ; 曹尔妍; 李成明
|
| 发表日期 | 2004-01-28 |
| 专利号 | CN1136332C |
| 著作权人 | 中国科学院力学研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 英文摘要 | 本发明属涉及表面多弧离子镀膜装置和方法，它包括在真空室内装有通入反应气体用的机构和安装蒸发源靶，真空系统连接在真空室，真空腔接地为阳极；直流电源的阴极与蒸发源靶相连接，阳极与真空腔连接接地；在真空室底部有一支架，支架下有加热元件并连接加热电源，还包括一个磁场电源，和在电弧蒸发源靶下方安置磁场线圈；磁场电源与磁场线圈电连接，一磁场直流电源和脉冲电源各自一端连接一开关，另一端与蒸发源靶的直流电源电连接，又与真空腔连接接地，开关一端与工件电连接。 |
| 分类号 | 发明授权 |
| 申请日期 | 1999-10-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/99581]  |
| 专题 | 力学研究所_力学所知识产出(1956-2008) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张勇,曹尔妍,李成明. 脉冲辅助过滤电弧沉积薄膜装置和方法. CN1136332C. 2004-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：力学研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。