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一种耐冲刷铂膜热流传感器制备装置

文献类型:专利

作者吴松; 喻江
发表日期2025-06-10
专利号CN115371940B
著作权人中国科学院力学研究所
国家中国
英文摘要本发明公开了一种耐冲刷铂膜热流传感器制备装置,包括:等离子发生腔体组件,用于产生高密度的等离子体;薄膜沉积腔体,薄膜沉积腔体连接在等离子发生腔体组件的等离子体的输出端;沉积台,设置在薄膜沉积腔体的内部,沉积台用于放置铂膜热流传感器主体,使铂膜热流传感器主体的表面和薄膜沉积腔体的轴向之间存在锐角夹角;内涵道,用于提供与等离子体进行化学沉积反应的原料介质;保护气供气系统,用于向等离子发生腔体组件和薄膜沉积腔体内提供保护气环境。本发明在具备柔性基底的铂膜热流传感器的表面通过PECVD进行氮化硅薄膜生长,并对其的微观生长结构进行主动干涉,从而获得适用于高超声速激波风洞的耐冲刷铂膜热流传感器。
分类号发明授权
申请日期2022-08-09
语种中文
状态有效
源URL[http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/100920]  
专题力学研究所_高温气体动力学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
吴松,喻江. 一种耐冲刷铂膜热流传感器制备装置. CN115371940B. 2025-06-10.

入库方式: OAI收割

来源:力学研究所

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