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潮湿环境下碳化硅高温氧化分子动力学模拟研究

文献类型:学位论文

作者王光硕
答辩日期2025-05-18
文献子类硕士
授予单位中国科学院大学
授予地点北京
导师胡远
关键词高超声速飞行器 碳化硅 高温氧化 ReaxFF MD 水氧耦合效应
学位专业流体力学
其他题名Molecular dynamics simulation of high-temperature oxidation of silicon carbide under humid environment
英文摘要

高超声速飞行器飞行过程中,会面临复杂的高超声速流动环境。飞行器表面强烈的气动加热效应导致飞行器表面温度急剧升高。同时,高速气流会与飞行器表面发生复杂的气固相互作用,对飞行器防护材料造成严重的氧化侵蚀,这种极端热力耦合效应会引发材料性能退化乃至整体失效。因此,飞行器表面气固相互作用的研究对于飞行器热防护系统(TPS)的构建至关重要,已成为高超声速飞行器研发过程中的关键技术瓶颈。碳化硅(SiC)得益于其轻质、耐高温、耐腐蚀等优异性能,成为航空航天领域重要的热防护材料,广泛应用于飞行器鼻锥、机翼前缘等关键部位。然而,在高温恶劣的服役环境下,SiC会发生表面氧化,可能导致其热、力学性能的下降,以及防护系统退化,甚至造成一些灾难性的后果。同时,高超声速飞行器起降阶段、跨大气层机动或执行特殊任务过程中,雨雪、冰雹等复杂潮湿的气象环境难以避免。此外,水作为飞行器发汗冷却的重要冷却剂,可能对SiC的氧化过程造成严重影响。因此研究SiC在高温复杂水氧耦合环境中的氧化过程对于TPS的可靠性研究具有重要意义。

本文主要的工作内容如下:

1)基于反应分子动力学(RMD)对现有包含Si/C/O/H原子的ReaxFF力场势函数进行了系统性评估。通过分析拟合条件和侧重点,同时对现有多个势函数进行了测试,发现不同拟合条件下获得的势函数之间存在显著差异,且适用性具有较强的针对性。最终选用了Newsome等人针对SiCH2O/O2体系中氧化过程拟合的势函数进行后续研究

2)通过对SiC在纯氧及水氧混合环境中的氧化过程进行模拟,通过控制反应过程中的温度、气体分压、水分子浓度等变量,对SiC氧化速率的影响进行分析。随后通过追踪反应过程中的关键反应路径以及氧化层结构重构过程,对水氧耦合氧化环境下的作用机理进行系统性研究。结果表明,在氧化初期,水分子通过界面反应生成氢过氧基(-OOH)中间产物,显著降低了SiC氧化的反应能垒,加速了氧化过程。然而,随着反应的进行,羟基(-OH)钝化和氧分压的降低导致氧化速率逐渐减缓,进而出现抑制现象。

3)对氧化层随时间的演化过程进行研究发现,在水氧混合环境中,SiC表面首先生成一层致密的SiO₂膜,但随着反应的进行,部分SiO₂转化为Si₂O₃,导致氧化层的致密性提高,阻碍了氧原子的深入扩散,实现了对SiC深层氧化的有效抑制。

4)针对SiC氧化分子动力学模拟过程中误差产生的原因进行分析。通过统计平均方法以及体系尺寸扩展减小了统计涨落误差的影响,在保证计算效率的前提下,提高了计算数据的准确性以及模拟结果的可靠性。

语种中文
源URL[http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/101216]  
专题力学研究所_高温气体动力学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王光硕. 潮湿环境下碳化硅高温氧化分子动力学模拟研究[D]. 北京. 中国科学院大学. 2025.

入库方式: OAI收割

来源:力学研究所

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