Simulation study of BESIII with stitched CMOS pixel detector using acts
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu, Y; Ai, XC; Xiao, GY; Li, YX; Wu, LH; Wang, LL; Dong, JN; Dong, MY; Geng, QL; Luo, M |
| 刊名 | NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES
 |
| 出版日期 | 2023 |
| 卷号 | 34期号:12页码:203 |
| ISSN号 | 1001-8042 |
| DOI | 10.1007/s41365-023-01353-6 |
| 文献子类 | Article |
| 电子版国际标准刊号 | 2210-3147 |
| WOS记录号 | WOS:001122655700003 |
| 源URL | [https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/304964]  |
| 专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, Y,Ai, XC,Xiao, GY,et al. Simulation study of BESIII with stitched CMOS pixel detector using acts[J]. NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES,2023,34(12):203. |
| APA | Liu, Y.,Ai, XC.,Xiao, GY.,Li, YX.,Wu, LH.,...&Zhou, Y.(2023).Simulation study of BESIII with stitched CMOS pixel detector using acts.NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES,34(12),203. |
| MLA | Liu, Y,et al."Simulation study of BESIII with stitched CMOS pixel detector using acts".NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES 34.12(2023):203. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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