Electrical Properties and Gain Performance of 4H-SiC LGAD (SICAR)
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhao, S; Wang, KQ; Xie, KB; Fu, CX; Wang, CW; Xiao, SY; Zhang, XY; Shi, X; Wang, CC |
| 刊名 | IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE
 |
| 出版日期 | 2024 |
| 卷号 | 71期号:11页码:2417-2421 |
| ISSN号 | 0018-9499 |
| DOI | 10.1109/TNS.2024.3471863 |
| 文献子类 | Article |
| 电子版国际标准刊号 | 1558-1578 |
| WOS记录号 | WOS:001358415000010 |
| 源URL | [https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/305426]  |
| 专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhao, S,Wang, KQ,Xie, KB,et al. Electrical Properties and Gain Performance of 4H-SiC LGAD (SICAR)[J]. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE,2024,71(11):2417-2421. |
| APA | Zhao, S.,Wang, KQ.,Xie, KB.,Fu, CX.,Wang, CW.,...&Wang, CC.(2024).Electrical Properties and Gain Performance of 4H-SiC LGAD (SICAR).IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE,71(11),2417-2421. |
| MLA | Zhao, S,et al."Electrical Properties and Gain Performance of 4H-SiC LGAD (SICAR)".IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE 71.11(2024):2417-2421. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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