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WASA: a low power and high integration readout ASIC for TPCs in 65 nm CMOS

文献类型:期刊论文

作者Liu, W; Liu, CW; Deng, Z; Li, FL; Li, YL; Qi, HR
刊名JOURNAL OF INSTRUMENTATION
出版日期2024
卷号19期号:4页码:P04036
ISSN号1748-0221
DOI10.1088/1748-0221/19/04/P04036
文献子类Article
WOS记录号WOS:001224239100001
源URL[https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/306486]  
专题高能物理研究所_实验物理中心
推荐引用方式
GB/T 7714
Liu, W,Liu, CW,Deng, Z,et al. WASA: a low power and high integration readout ASIC for TPCs in 65 nm CMOS[J]. JOURNAL OF INSTRUMENTATION,2024,19(4):P04036.
APA Liu, W,Liu, CW,Deng, Z,Li, FL,Li, YL,&Qi, HR.(2024).WASA: a low power and high integration readout ASIC for TPCs in 65 nm CMOS.JOURNAL OF INSTRUMENTATION,19(4),P04036.
MLA Liu, W,et al."WASA: a low power and high integration readout ASIC for TPCs in 65 nm CMOS".JOURNAL OF INSTRUMENTATION 19.4(2024):P04036.

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

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