Assessment of 180 nm double SOI technology for analog front-end design with back-gate voltage
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li, Y.; Liu, F.; Lu, B.; Li, Z.; Chen, S.; Zhang, C.; Zhu, H.; Yao, X.; Bu, J.; Wan, J. |
| 刊名 | JOURNAL OF INSTRUMENTATION
 |
| 出版日期 | 2024 |
| 卷号 | 19期号:6页码:P06045 |
| ISSN号 | 1748-0221 |
| DOI | 10.1088/1748-0221/19/06/P06045 |
| 文献子类 | Article |
| WOS记录号 | WOS:001265153400001 |
| 源URL | [https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/306878]  |
| 专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li, Y.,Liu, F.,Lu, B.,et al. Assessment of 180 nm double SOI technology for analog front-end design with back-gate voltage[J]. JOURNAL OF INSTRUMENTATION,2024,19(6):P06045. |
| APA | Li, Y..,Liu, F..,Lu, B..,Li, Z..,Chen, S..,...&Ye, T..(2024).Assessment of 180 nm double SOI technology for analog front-end design with back-gate voltage.JOURNAL OF INSTRUMENTATION,19(6),P06045. |
| MLA | Li, Y.,et al."Assessment of 180 nm double SOI technology for analog front-end design with back-gate voltage".JOURNAL OF INSTRUMENTATION 19.6(2024):P06045. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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