基于Back-n白光中子实验装置的SRAM翻转截面测量
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘毓萱; 秋妍妍; 谭志新; 易晗; 贺永宁; 赵小龙; 樊瑞睿 |
| 刊名 | 现代应用物理
 |
| 出版日期 | 2024 |
| 卷号 | 15期号:02页码:105-109 |
| DOI | 10.12061/j.issn.2095 6223.2024.020402 |
| 其他题名 | Measurement of Single Event Upset Cross Section of Static Random Access Memories at the CSNS Back-n Facilit |
| 文献子类 | 期刊 |
| 源URL | [https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/307120]  |
| 专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘毓萱,秋妍妍,谭志新,等. 基于Back-n白光中子实验装置的SRAM翻转截面测量[J]. 现代应用物理,2024,15(02):105-109. |
| APA | 刘毓萱.,秋妍妍.,谭志新.,易晗.,贺永宁.,...&樊瑞睿.(2024).基于Back-n白光中子实验装置的SRAM翻转截面测量.现代应用物理,15(02),105-109. |
| MLA | 刘毓萱,et al."基于Back-n白光中子实验装置的SRAM翻转截面测量".现代应用物理 15.02(2024):105-109. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。