Low-frequency noise in the Double SOI (DSOI) MOSFETs with back-gate control
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li, You; Liu, Fanyu; Shu, Lei; Lu, Bo; Li, Bo; Luo, Jiajun |
| 刊名 | JOURNAL OF INSTRUMENTATION
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| 出版日期 | 2024 |
| 卷号 | 19期号:10 |
| ISSN号 | 1748-0221 |
| DOI | 10.1088/1748-0221/19/10/P10003 |
| 文献子类 | Article |
| WOS记录号 | WOS:001352487700001 |
| 源URL | [https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/307373]  |
| 专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li, You,Liu, Fanyu,Shu, Lei,et al. Low-frequency noise in the Double SOI (DSOI) MOSFETs with back-gate control[J]. JOURNAL OF INSTRUMENTATION,2024,19(10). |
| APA | Li, You,Liu, Fanyu,Shu, Lei,Lu, Bo,Li, Bo,&Luo, Jiajun.(2024).Low-frequency noise in the Double SOI (DSOI) MOSFETs with back-gate control.JOURNAL OF INSTRUMENTATION,19(10). |
| MLA | Li, You,et al."Low-frequency noise in the Double SOI (DSOI) MOSFETs with back-gate control".JOURNAL OF INSTRUMENTATION 19.10(2024). |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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