Cryogenic Microwave Performance of Silicon Nitride and Amorphous Silicon Deposited Using Low-Temperature ICPCVD
文献类型：期刊论文
| 作者 | Sun, JM; Shu, SB; Chai, Y; Zhu, L; Zhang, LM; Li, YP; Liu, ZH; Li, ZW; Shi, WH; Xu, Y |
| 刊名 | JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
 |
| 出版日期 | 2024 |
| 卷号 | 217期号:3-4页码:464-471 |
| ISSN号 | 0022-2291 |
| DOI | 10.1007/s10909-024-03216-9 |
| 文献子类 | Article |
| 电子版国际标准刊号 | 1573-7357 |
| WOS记录号 | WOS:001310572800001 |
| 源URL | [https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/305537]  |
| 专题 | 高能物理研究所_粒子天体物理中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Sun, JM,Shu, SB,Chai, Y,et al. Cryogenic Microwave Performance of Silicon Nitride and Amorphous Silicon Deposited Using Low-Temperature ICPCVD[J]. JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS,2024,217(3-4):464-471. |
| APA | Sun, JM.,Shu, SB.,Chai, Y.,Zhu, L.,Zhang, LM.,...&Liu, CZ.(2024).Cryogenic Microwave Performance of Silicon Nitride and Amorphous Silicon Deposited Using Low-Temperature ICPCVD.JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS,217(3-4),464-471. |
| MLA | Sun, JM,et al."Cryogenic Microwave Performance of Silicon Nitride and Amorphous Silicon Deposited Using Low-Temperature ICPCVD".JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS 217.3-4(2024):464-471. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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