AlGaN/GaN HEMT器件高温栅偏置应力后栅极泄漏电流机制分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈欢欢; 张贺秋; 邢鹤; 夏晓川; 张振中; 蔡涛; 叶宇帆; 郭文平; 席庆南; 黄慧诗 |
| 刊名 | 大连理工大学学报
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| 出版日期 | 2024 |
| 卷号 | 64期号:01页码:90-95 |
| DOI | 10.7511/dllgxb202401011 |
| 其他题名 | Mechanism analysis of gate leakage current of AlGaN/GaN HEMT devices after high temperature gate bias stress |
| 文献子类 | 期刊 |
| 源URL | [https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/307140]  |
| 专题 | 高能物理研究所_粒子天体物理中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈欢欢,张贺秋,邢鹤,等. AlGaN/GaN HEMT器件高温栅偏置应力后栅极泄漏电流机制分析[J]. 大连理工大学学报,2024,64(01):90-95. |
| APA | 陈欢欢.,张贺秋.,邢鹤.,夏晓川.,张振中.,...&梁红伟.(2024).AlGaN/GaN HEMT器件高温栅偏置应力后栅极泄漏电流机制分析.大连理工大学学报,64(01),90-95. |
| MLA | 陈欢欢,et al."AlGaN/GaN HEMT器件高温栅偏置应力后栅极泄漏电流机制分析".大连理工大学学报 64.01(2024):90-95. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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