AlGaN/GaN HEMT小信号放大电路设计及放大增益预测
文献类型：期刊论文
| 作者 | 叶宇帆; 张贺秋; 夏晓川; 郭文平; 黄慧诗; 梁晓华; 梁红伟 |
| 刊名 | 大连理工大学学报
 |
| 出版日期 | 2024 |
| 卷号 | 64期号:04页码:412-417 |
| ISSN号 | 1000-8608 |
| DOI | 10.7511/dllgxb202404011 |
| 其他题名 | Small signal amplification circuit design and amplification gain prediction of AlGaN/GaN HEMT |
| 文献子类 | 期刊 |
| 电子版国际标准刊号 | 叶宇帆; 张贺秋; 夏晓川; 郭文平; 黄慧诗; 梁晓华; 梁红伟 |
| 源URL | [https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/307198]  |
| 专题 | 高能物理研究所_粒子天体物理中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶宇帆,张贺秋,夏晓川,等. AlGaN/GaN HEMT小信号放大电路设计及放大增益预测[J]. 大连理工大学学报,2024,64(04):412-417. |
| APA | 叶宇帆.,张贺秋.,夏晓川.,郭文平.,黄慧诗.,...&梁红伟.(2024).AlGaN/GaN HEMT小信号放大电路设计及放大增益预测.大连理工大学学报,64(04),412-417. |
| MLA | 叶宇帆,et al."AlGaN/GaN HEMT小信号放大电路设计及放大增益预测".大连理工大学学报 64.04(2024):412-417. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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