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阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究

文献类型:期刊论文

作者刘键; 魏龙; 王辉耀; 马创新; 王宝义
刊名核技术;Nuclear Techniques
出版日期2000
卷号23期号:6页码:376-380
ISSN号0253-3219
文献子类期刊
语种中文
源URL[https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/304135]  
专题高能物理研究所_多学科研究中心
作者单位中国科学院高能物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘键,魏龙,王辉耀,等. 阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究[J]. 核技术;Nuclear Techniques,2000,23(6):376-380.
APA 刘键,魏龙,王辉耀,马创新,&王宝义.(2000).阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究.核技术;Nuclear Techniques,23(6),376-380.
MLA 刘键,et al."阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究".核技术;Nuclear Techniques 23.6(2000):376-380.

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

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