阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究
文献类型:期刊论文
| 作者 | 刘键; 魏龙; 王辉耀; 马创新; 王宝义 |
| 刊名 | 核技术;Nuclear Techniques
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 23期号:6页码:376-380 |
| ISSN号 | 0253-3219 |
| 文献子类 | 期刊 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/304135] ![]() |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘键,魏龙,王辉耀,等. 阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究[J]. 核技术;Nuclear Techniques,2000,23(6):376-380. |
| APA | 刘键,魏龙,王辉耀,马创新,&王宝义.(2000).阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究.核技术;Nuclear Techniques,23(6),376-380. |
| MLA | 刘键,et al."阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究".核技术;Nuclear Techniques 23.6(2000):376-380. |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
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