改变旋涂速率制备有序介孔 SiO2薄膜结构的正电子湮没和X射线反射率技术表征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张鹏; 秦秀波; 马敏阳; 于润升; 贾全杰; 王宝义; 魏龙 |
| 刊名 | 第十届全国正电子湮没谱学会议论文集
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| 出版日期 | 2009 |
| 页码 | 65-66 |
| 文献子类 | 会议 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/304459]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张鹏,秦秀波,马敏阳,等. 改变旋涂速率制备有序介孔 SiO2薄膜结构的正电子湮没和X射线反射率技术表征[J]. 第十届全国正电子湮没谱学会议论文集,2009:65-66. |
| APA | 张鹏.,秦秀波.,马敏阳.,于润升.,贾全杰.,...&魏龙.(2009).改变旋涂速率制备有序介孔 SiO2薄膜结构的正电子湮没和X射线反射率技术表征.第十届全国正电子湮没谱学会议论文集,65-66. |
| MLA | 张鹏,et al."改变旋涂速率制备有序介孔 SiO2薄膜结构的正电子湮没和X射线反射率技术表征".第十届全国正电子湮没谱学会议论文集 (2009):65-66. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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