利用微波等离子体增强化学气相沉积技术生长了SiOX薄膜，研究了亚氧化硅薄膜在经过250℃，400℃ ， 600℃，900℃和1100℃真空退火后的发光性能。利用AFM 表征了材料的表面形貌，材料的表面粗糙度非常小；利用 傅立叶变换红外吸收光谱研究了成键模式；利用光致发光谱研究了发光性能。结果表明随着退火温度的增加，紫外 发光峰的发光强度先增大后减小；并且该峰有蓝移现象，但是在900℃以上高温退火后，峰位保持稳定。带隙宽度随 着退火温度的增加先增加后减小。在低温（250℃，400℃）真空退火后，不稳定的氢键首先断裂；在高温退火下， 发生了相分离过程。