V<,2>O<,5>薄膜的微观结构和电致变色特性的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 潘梦霄2,3; 曹兴忠1,2; 李养贤3; 王宝义2; 魏龙2 |
| 刊名 | 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
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| 出版日期 | 2003 |
| 文献子类 | 会议 |
| 英文摘要 | 采用直流磁控反应溅射在si(100)衬底上溅射得到(0们)取向的V205薄膜。X—ray衍射(xRD)、扫描电 镜(sEM)的结果表明，氧分压影响薄膜的成分和生长取向，在氧分压0．4Pa时溅射得到(001)取向的纳米v205 薄膜，即沿C轴垂直村底方向取向生长的薄膜。并测试了薄膜具有优良的电致变色的特性． |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/304502]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 作者单位 | 1.兰州大学 2.中国科学院高能物理研究所 3.河北工业大学材料学院信息功能材料研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 潘梦霄,曹兴忠,李养贤,等. V<,2>O<,5>薄膜的微观结构和电致变色特性的研究[J]. 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会,2003. |
| APA | 潘梦霄,曹兴忠,李养贤,王宝义,&魏龙.(2003).V<,2>O<,5>薄膜的微观结构和电致变色特性的研究.第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会. |
| MLA | 潘梦霄,et al."V<,2>O<,5>薄膜的微观结构和电致变色特性的研究".第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 (2003). |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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