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正电子湮没寿命测量中放射源成分的修正

文献类型:期刊论文

作者宁霞1,2; 李崇2; 李德民1; 曹兴忠2; 章志明2; 王宝义2; 魏龙2
刊名第十三届全国正电子谱学会议
出版日期2016
关键词正电子湮没寿命谱 Geant4模拟 放射性同位素 源成分
文献子类会议
英文摘要

正电子湮没寿命谱测量中,正电子放射源成分的扣除会对寿命谱的解谱结果产生一定 影响。测量正电子湮没寿命谱时,采用的是三明治结构,放射性同位素22Na由7微米厚的 Kapton膜封装,待测样品紧贴在膜的外边。实验时,通常采用测量标准样品的方法,确定 正电子在Kapton膜中的湮没成分。为了确定不同样品测量时放射源准确的扣除成分,采用 Geant4软件模拟了不同样品时正电子在Kapton膜中湮没的贡献,修正放射源成分扣除对寿 命谱解谱结果的影响。

语种中文
源URL[https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/304505]  
专题高能物理研究所_多学科研究中心
作者单位1.郑州大学
2.中国科学院高能物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
宁霞,李崇,李德民,等. 正电子湮没寿命测量中放射源成分的修正[J]. 第十三届全国正电子谱学会议,2016.
APA 宁霞.,李崇.,李德民.,曹兴忠.,章志明.,...&魏龙.(2016).正电子湮没寿命测量中放射源成分的修正.第十三届全国正电子谱学会议.
MLA 宁霞,et al."正电子湮没寿命测量中放射源成分的修正".第十三届全国正电子谱学会议 (2016).

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

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