正电子湮没寿命测量中放射源成分的修正
文献类型:期刊论文
| 作者 | 宁霞1,2; 李崇2; 李德民1; 曹兴忠2; 章志明2; 王宝义2; 魏龙2 |
| 刊名 | 第十三届全国正电子谱学会议
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| 出版日期 | 2016 |
| 关键词 | 正电子湮没寿命谱 Geant4模拟 放射性同位素 源成分 |
| 文献子类 | 会议 |
| 英文摘要 | 正电子湮没寿命谱测量中,正电子放射源成分的扣除会对寿命谱的解谱结果产生一定 影响。测量正电子湮没寿命谱时,采用的是三明治结构,放射性同位素22Na由7微米厚的 Kapton膜封装,待测样品紧贴在膜的外边。实验时,通常采用测量标准样品的方法,确定 正电子在Kapton膜中的湮没成分。为了确定不同样品测量时放射源准确的扣除成分,采用 Geant4软件模拟了不同样品时正电子在Kapton膜中湮没的贡献,修正放射源成分扣除对寿 命谱解谱结果的影响。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/304505] ![]() |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 作者单位 | 1.郑州大学 2.中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宁霞,李崇,李德民,等. 正电子湮没寿命测量中放射源成分的修正[J]. 第十三届全国正电子谱学会议,2016. |
| APA | 宁霞.,李崇.,李德民.,曹兴忠.,章志明.,...&魏龙.(2016).正电子湮没寿命测量中放射源成分的修正.第十三届全国正电子谱学会议. |
| MLA | 宁霞,et al."正电子湮没寿命测量中放射源成分的修正".第十三届全国正电子谱学会议 (2016). |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
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