Bandgap modulations and promoted carrier separation in crystalline g-C3N4 thin films via chemical vapor deposition
文献类型：期刊论文
| 作者 | Du, Y; Nie, KQ; Wang, WC; Sa, N; Yang, RQ; Wu, M; Wang, HQ; Kang, JY |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2024 |
| 卷号 | 124期号:22页码:222101 |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| DOI | 10.1063/5.0202516 |
| 文献子类 | Article |
| 电子版国际标准刊号 | 1077-3118 |
| WOS记录号 | WOS:001235802900002 |
| 源URL | [https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/305423]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Du, Y,Nie, KQ,Wang, WC,et al. Bandgap modulations and promoted carrier separation in crystalline g-C3N4 thin films via chemical vapor deposition[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2024,124(22):222101. |
| APA | Du, Y.,Nie, KQ.,Wang, WC.,Sa, N.,Yang, RQ.,...&Kang, JY.(2024).Bandgap modulations and promoted carrier separation in crystalline g-C3N4 thin films via chemical vapor deposition.APPLIED PHYSICS LETTERS,124(22),222101. |
| MLA | Du, Y,et al."Bandgap modulations and promoted carrier separation in crystalline g-C3N4 thin films via chemical vapor deposition".APPLIED PHYSICS LETTERS 124.22(2024):222101. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。