高温退火对低温硫化生长的ZnS薄膜性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王朋杰; 张仁刚; 张超; 张鹏; 曹兴忠; 王宝义 |
| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2024 |
| 卷号 | 45期号:06页码:904-909 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| DOI | 10.16818/j.issn1001-5868.2024082401 |
| 其他题名 | Effect of High-temperature Annealing on the Properties of ZnS Thin Films Grown by Low-temperature Sulfurization |
| 文献子类 | 期刊 |
| 源URL | [https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/307079]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王朋杰,张仁刚,张超,等. 高温退火对低温硫化生长的ZnS薄膜性能的影响[J]. 半导体光电,2024,45(06):904-909. |
| APA | 王朋杰,张仁刚,张超,张鹏,曹兴忠,&王宝义.(2024).高温退火对低温硫化生长的ZnS薄膜性能的影响.半导体光电,45(06),904-909. |
| MLA | 王朋杰,et al."高温退火对低温硫化生长的ZnS薄膜性能的影响".半导体光电 45.06(2024):904-909. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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