CsPbI3 Perovskite Quantum Dot-Based WORM Memory Device with Intrinsic Ternary States
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xu, Luhang; Fu, Yuang; Li, Yuhao; Zhou, Guodong; Lu, Xinhui |
| 刊名 | ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES
 |
| 出版日期 | 2024 |
| 卷号 | 16期号:30页码:39827-39834 |
| ISSN号 | 1944-8244 |
| DOI | 10.1021/acsami.4c07044 |
| 文献子类 | Article |
| 电子版国际标准刊号 | 1944-8252 |
| WOS记录号 | WOS:001274507500001 |
| 源URL | [https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/306605]  |
| 专题 | 高能物理研究所_东莞分部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xu, Luhang,Fu, Yuang,Li, Yuhao,et al. CsPbI3 Perovskite Quantum Dot-Based WORM Memory Device with Intrinsic Ternary States[J]. ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES,2024,16(30):39827-39834. |
| APA | Xu, Luhang,Fu, Yuang,Li, Yuhao,Zhou, Guodong,&Lu, Xinhui.(2024).CsPbI3 Perovskite Quantum Dot-Based WORM Memory Device with Intrinsic Ternary States.ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES,16(30),39827-39834. |
| MLA | Xu, Luhang,et al."CsPbI3 Perovskite Quantum Dot-Based WORM Memory Device with Intrinsic Ternary States".ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES 16.30(2024):39827-39834. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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