中国散裂中子源自研前端专用芯片CSNS_VASD性能测试
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yang, Hao; Lu, Shuxiang; Li, Huaishen; Chen, Shaojia; Tang, Bin; Wang, Xiuku; Zeng, Lixin; Yu, Li; Wan, Zhiyong; Liu, Huiyin |
| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2024 |
| 卷号 | 47期号:7 |
| DOI | 10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.070401 |
| 其他题名 | Performance test of front-end ASIC chip CSNS_VASD developed for China Spallation Neutron Source |
| 文献子类 | 期刊 |
| 源URL | [https://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/307362]  |
| 专题 | 高能物理研究所_东莞分部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yang, Hao,Lu, Shuxiang,Li, Huaishen,等. 中国散裂中子源自研前端专用芯片CSNS_VASD性能测试[J]. 核技术,2024,47(7). |
| APA | Yang, Hao.,Lu, Shuxiang.,Li, Huaishen.,Chen, Shaojia.,Tang, Bin.,...&Sun, Zhijia.(2024).中国散裂中子源自研前端专用芯片CSNS_VASD性能测试.核技术,47(7). |
| MLA | Yang, Hao,et al."中国散裂中子源自研前端专用芯片CSNS_VASD性能测试".核技术 47.7(2024). |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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