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一种四方晶系二氧化锗的制备方法

文献类型:专利

作者王新松; 石雯昕; 黄智龙; 蒋子琦; 尚林波
发表日期2024-12-13
专利号CN202411279864.1
著作权人中国科学院地球化学研究所
国家中国
文献子类发明公开
英文摘要

本发明涉及四方晶系二氧化锗的制备方法,在封闭的钛质高压反应釜内,将高纯度的六方晶系二氧化锗与水蒸气发生反应,冷至室温后,将反应得到的固体物洗涤、干燥,即得到四方晶系二氧化锗晶体。本发明得到的四方晶系二氧化锗晶体,纯度高、无杂质引入,制备过程无需添加复杂化学试剂,极大地缩短了制备流程,为特殊形貌的二氧化锗晶体材料的制备提供了新的思路。本发明方法为一步水热反应法,工艺简单,操作方便,且有易于重复等优点。

申请日期2024-09-12
语种中文
源URL  
专题地球化学研究所_矿床地球化学国家重点实验室
作者单位中国科学院地球化学研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王新松,石雯昕,黄智龙,等. 一种四方晶系二氧化锗的制备方法. CN202411279864.1. 2024-12-13.

入库方式: OAI收割

来源:地球化学研究所

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