一种四方晶系二氧化锗的制备方法
文献类型:专利
| 作者 | 王新松; 石雯昕; 黄智龙; 蒋子琦; 尚林波 |
| 发表日期 | 2024-12-13 |
| 专利号 | CN202411279864.1 |
| 著作权人 | 中国科学院地球化学研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明公开 |
| 英文摘要 | 本发明涉及四方晶系二氧化锗的制备方法,在封闭的钛质高压反应釜内,将高纯度的六方晶系二氧化锗与水蒸气发生反应,冷至室温后,将反应得到的固体物洗涤、干燥,即得到四方晶系二氧化锗晶体。本发明得到的四方晶系二氧化锗晶体,纯度高、无杂质引入,制备过程无需添加复杂化学试剂,极大地缩短了制备流程,为特殊形貌的二氧化锗晶体材料的制备提供了新的思路。本发明方法为一步水热反应法,工艺简单,操作方便,且有易于重复等优点。 |
| 申请日期 | 2024-09-12 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | ![]() |
| 专题 | 地球化学研究所_矿床地球化学国家重点实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院地球化学研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王新松,石雯昕,黄智龙,等. 一种四方晶系二氧化锗的制备方法. CN202411279864.1. 2024-12-13. |
入库方式: OAI收割
来源:地球化学研究所
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