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一种在高温高压下生长黝帘石单晶的方法

文献类型:专利

作者陈伟; 范大伟
发表日期2024-08-20
专利号CN202410655317.2
著作权人贵州建设职业技术学院 ; 中国科学院地球化学研究所
国家中国
文献子类发明公开
英文摘要

本发明提供了一种在高温高压下生长黝帘石单晶的方法,属于矿物单晶合成技术领域。本发明以Ca(OH)-2粉末、Al-2O-3粉末和SiO-2粉末为初始原料,Ca(OH)-2粉末提供了合成黝帘石单晶必不可少的钙元素和氢元素,Al-2O-3粉末提供了合成黝帘石单晶必不可少的铝元素,SiO-2粉末提供了合成黝帘石单晶必不可少的硅元素,结合高温预烧提高了初始原料的混合均一性并促使各初始原料间发生一定程度的固相反应,最后在高温高压条件下成功合成了黝帘石单晶。并且,本发明生长黝帘石单晶的过程,环境纯净,试样处于密封环境中,不与杂质接触,得到的黝帘石单晶为纯净物,化学稳定性好,解决了目前黝帘石单晶生长困难的技术难题。

语种中文
源URL  
专题地球化学研究所_矿床地球化学国家重点实验室
地球深部物质与流体作用地球化学研究室
作者单位1.贵州建设职业技术学院
2.中国科学院地球化学研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
陈伟,范大伟. 一种在高温高压下生长黝帘石单晶的方法. CN202410655317.2. 2024-08-20.

入库方式: OAI收割

来源:地球化学研究所

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