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一种质子导体材料及其制备方法

文献类型:专利

作者彭家卓; 李和平; 李胜斌
发表日期2024-07-26
专利号CN202410127602.7
著作权人中国科学院地球化学研究所
国家中国
文献子类发明公开
英文摘要

本发明涉及质子导体材料技术领域,具体涉及一种质子导体材料及其制备方法。该制备方法包括以下步骤:将BaZr-xCe-yDy-zO-(3-δ)粉体装填于第一管体内,并转入第二管体中,在第二管体与第一管体之间填充氧化剂,然后在800~1000℃,2~3GPa条件下进行烧结,制得BaZr-xCe-yDy-zO-(3-δ)质子导体材料。发明在高温高压烧结过程中,在样品周围加入氧化铁粉末作为氧化剂,通过控制高温高压烧结过程中的反应气氛,抑制Ce~(4+)被还原成Ce~(3+),使制备的Dy掺杂锆铈酸钡质子导体材料不出现电子传导,解决了现有高温高压烧结法会产生还原气氛的问题。

语种中文
状态已授权
源URL  
专题地球化学研究所_地球内部物质高温高压实验室
地球深部物质与流体作用地球化学研究室
作者单位中国科学院地球化学研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
彭家卓,李和平,李胜斌. 一种质子导体材料及其制备方法. CN202410127602.7. 2024-07-26.

入库方式: OAI收割

来源:地球化学研究所

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