低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 尹飞
|
| 刊名 | 光子学报
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 38期号:8页码:1937-1940 |
| ISSN号 | 1004-4213 |
| 通讯作者 | 汪韬 |
| 合作状况 | 其它 |
| 学科主题 | 红外技术及仪器 |
| 收录类别 | 其他 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-01-18 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/8240]  |
| 专题 | 西安光学精密机械研究所_光电子学研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹飞. 低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响[J]. 光子学报,2009,38(8):1937-1940. |
| APA | 尹飞.(2009).低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响.光子学报,38(8),1937-1940. |
| MLA | 尹飞."低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响".光子学报 38.8(2009):1937-1940. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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