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减小面阵半导体激光器光参数积的方法研究

文献类型:学位论文

作者占盛龙
学位类别硕士
答辩日期2007-06-01
授予单位中国科学院光电技术研究所
授予地点光电技术研究所
导师周崇喜
关键词面阵半导体激光器 高填充比 高亮度 光束准直 平行平板阵列 光参数积
学位专业光学
中文摘要半导体激光器(Laser Diode, LD)的众多应用领域,如材料加工、DPL(Diode Pumped Laser)和光纤激光器泵浦都要求很高的亮度。提高功率,减小光束大小及立体角可提高亮度。为了使输出功率达到百瓦以上,采用高填充比(多发光区)的面阵LD,经过快慢轴准直透镜后,光束在两个方向发散角大大减小,然而其构成方法使得其在快轴方向的一个周期内依然存在发光死区。本文在比较几种现有消除发光死区方法的基础上,提出了一种基于折射原理的方法,并从高填充比面阵LD慢轴准直、消除死区的设计、仿真和实验等方面开展了深入的研究工作,使现有面阵LD的光参数积(光束质量)达到极限,在提高亮度的同时十分有利于后续工作,如整形、聚焦及光纤耦合。 在研究了高功率面阵LD的结构和输出特性的基础上,根据半导体激光器光束准直理论,对于构成面阵LD的高填充比LD bar,设计了快慢轴方向准直透镜,通过优化,得到了准直效果较好的光束,采用光学设计软件进行模拟,结果表明快慢轴方向发散角从40°×10°减小为0.2°×5°,准直效率为99%。对于面阵LD快轴方向存在的发光死区,提出采用平行平板阵列的方法来消除,介绍了其基本原理,然后给出了平行平板的设计方法。针对四条LD bar构成的面阵LD,设计了平行平板阵列,采用光学设计软件模拟了光束通过平行平板阵列前后的变化情况。模拟结果表明,平行平板阵列消除了面阵LD快轴方向的发光死区,光斑总尺寸从6.5mm×10mm压缩为3.5mm×10mm,光参数积从5.7mm mrad减小为3.1 mm mrad,其效率为98%,总效率为97%。搭建了平行平板阵列消除发光死区的实验平台,实验结果表明光束总尺寸从6.1mm×10mm压缩为3.5mm×10mm,其效率在86%~87%之间。实验结果有力证明了模拟结果。最后分析了器件的反射、制作误差及光学系统装调误差对系统的影响。
语种中文
公开日期2013-11-19
页码77
源URL[http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/239]  
专题光电技术研究所_光电技术研究所博硕士论文
推荐引用方式
GB/T 7714
占盛龙. 减小面阵半导体激光器光参数积的方法研究[D]. 光电技术研究所. 中国科学院光电技术研究所. 2007.

入库方式: OAI收割

来源:光电技术研究所

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