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高功函数的钛酸镧掺杂氧化铟透明导电薄膜的制备与光电特性研究

文献类型:期刊论文

作者田苗苗 ; 李春杰 ; 贺小光 ; 郭峰 ; 范翊 ; 王宁
刊名发光学报
出版日期2012
卷号33期号:10页码:1055-1059
关键词功函数 掺杂 透明导电薄膜 光致发光
ISSN号1000-7032
通讯作者田苗苗
中文摘要制备了一种新型的具有高功函数的掺钛酸镧(LaTiO3)的氧化铟(ILTO)三元透明导电氧化物薄膜,并研究了其光电特性。EDX能谱测试结果证实了样品中In、La及Ti的存在,薄膜的掺杂具有良好的均匀性及一致性。由原子力显微镜测试可知,在一个5μm×5μm的扫描区域内,样品的表面粗糙度(RMS)较小,为1nm量级。ILTO薄膜在可见光区域的平均透过率超过了85% ,其功函数接近于金的功函数(5.2eV 左右),远高于目前商业化的ITO的功函数(4.5~4.7eV)。由于导电薄膜的功函数在光电器件中对异质结界面的势垒高度有着直接影响,较高的功函数可以提高载流子的注入及抽取能力,因此采用 ILTO 作为光电器件的阳极将有望改善器件的性能。
收录类别CSCD收录国内期刊论文
语种中文
公开日期2013-11-17
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/49177]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
田苗苗,李春杰,贺小光,等. 高功函数的钛酸镧掺杂氧化铟透明导电薄膜的制备与光电特性研究[J]. 发光学报,2012,33(10):1055-1059.
APA 田苗苗,李春杰,贺小光,郭峰,范翊,&王宁.(2012).高功函数的钛酸镧掺杂氧化铟透明导电薄膜的制备与光电特性研究.发光学报,33(10),1055-1059.
MLA 田苗苗,et al."高功函数的钛酸镧掺杂氧化铟透明导电薄膜的制备与光电特性研究".发光学报 33.10(2012):1055-1059.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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