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MOCVD生长GaN的数值模拟研究

文献类型:会议论文

作者潘耀宇 ; 张梦杰 ; 李长甫 ; 方海生
出版日期2013
会议名称中国工程热物理学会-传热传质
会议日期2013
关键词MOCVD反应器 数值模拟 沉积速率
源URL[http://ir.etp.ac.cn/handle/311046/85767]  
专题工程热物理研究所_中国工程热物理学会论文_会议论文
推荐引用方式
GB/T 7714
潘耀宇,张梦杰,李长甫,等. MOCVD生长GaN的数值模拟研究[C]. 见:中国工程热物理学会-传热传质. 2013.

入库方式: OAI收割

来源:工程热物理研究所

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