一种深低温氧化物热敏电阻材料
文献类型：专利
| 作者 | 妥万禄 ; 兰玉岐 |
| 发表日期 | 2009-10-28 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200510106550.2 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种深低温氧化物热敏电阻材料，该材料是用碳酸锶或氧化锶和三氧化二钴进行直接固相反应或用硝酸盐采用化学方法合成非化学计量的钙钛矿结构氧化物SrCoO1-xNixO3-5（0≤δ≤0.1，0≤δ≤0.5）材料，经测试其参数与已有的在液氧、液氮、液氢温度下使用的定型产品相比，得出的元件可在4.2K-20K温度下使用，且使用温区比较宽，由于不含稀土元素也降低了成本。 |
| 公开日期 | 2013-11-27 |
| 申请日期 | 2005-09-30 |
| 专利申请号 | 200510106550.2 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3049]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 妥万禄,兰玉岐. 一种深低温氧化物热敏电阻材料. ZL200510106550.2. 2009-10-28. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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